MRAM – memoriile RAM care nu pierd informatia la intreruperea alimentarii cu energie electrica

MRAM – MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY este cea mai nouă componentă pe piaţa soluţiilor de stocare. Noile memorii cu viteze de transfer de până la 2 GBps, consum de energie şi pierderi termice scăzute, au fost patentate în anul 2010 în SUA şi la începutul lui 2011 în Europa. Este căutat un partener pentru fabricaţia şi dezvoltarea ulterioară a acestor module de memorie.

Tehnologia MRAM are avantajul folosirii proprietăţilor magnetice ale unor anumite materiale, astfel încât, la oprirea tensiunii de alimentare informaţia memorată să nu se şteargă. De asemenea permite un număr nelimitat de cicluri scriere/citire precum şi o densitate foarte mare a celulelor de memorie pe unitatea de volum ceea ce duce la o foarte bună integrare pe modulele suport.

Daca acest articol contine o greseala, selecteaza cuvintele sau fraza gresita si tasteaza combinatia de taste Shift + Enter sau apasa click aici pentru a o raporta. Multumim!